Entwicklung SiC-Gapschalter

25Tage

Teilnahmefrist26.08.2025 12:00 Uhr

Ausgeschriebene Leistung

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten Schrittweise Entwicklung des...

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Auftrag­geber

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Vergabe­nummer (des Auftraggebers)

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Vergabe-ID (bei evergabe.de)

3226584
25Tage

Teilnahmefrist26.08.2025 12:00 Uhr

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Ausführungsort (1)

  • 64291 Darmstadt
    Planckstraße 1, Hessen

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